Projekt

Netěkavá paměť na bázi odporového spínání v tenkých vrstvách chalkogenidů

Poskytovatel:Technologická agentura České republiky
Program:Program aplikovaného výzkumu, experimentálního vývoje a inovací GAMA
Trvání:01.07.17 - 30.11.19
Pracoviště: Fakulta chemicko-technologická
Řešitel:prof. Ing. Tomáš Wágner DrSc.
Interní spoluřešitelé:Ing. Pavel Rozsíval

Na základě proof-of-concept vyvinout funkční materiál vhodný pro paměťové spínání a zápis informací v iontově vodivých tenkých vrstvách chalkogenidů. Připavit funkční vzorek pro paměťový zápis.