Publikace detail

A layered Ge2Sb2Te5 phase change material
Autoři: Zhang Bo | Čičmancová Veronika | Kupcik Jaroslav | Šlang Stanislav | Rodriguez Pereira Jhonatan | Svoboda Roman | Kutálek Petr | Wágner Tomáš
Rok: 2020
Druh publikace: článek v odborném periodiku
Název zdroje: Nanoscale
Strana od-do: 3351-3358
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
eng A layered Ge2Sb2Te5 phase change material In this study, a universal Ge2Sb2Te5 phase change material was sputtered to obtain a layered structure. The crystalline phase of this material was prepared by annealing. SEM (scanning electron microscopy) and HRTEM (high-resolution transmission electron microscopy) images give confirmed that the sputtered Ge2Sb2Te5 thin film in crystalline phase has multiple layers. The layers can be exfoliated by acetone. The thicknesses of acetone-exfoliated crystalline and amorphous flakes are approx. 10–60 nm. change memory; crystallization; dynamics; model
cze Vrstevnatý materiál s fázovou změnou na bázi Ge2Sb2Te5 V této studii byl připraven univerzální materiál Ge2Sb2Te5 s fázový přechodem a vrstevnatou strukturou pomocí metody naprašování.Krystalická fáze materiálu byla připravena pomocí temperace. SEM (skenovací elektronová mikroskopie) a HRTEM (transmisní elektronová mikroskopie s vysokým rozlišením) scany potvrdily, že naprášené vrstvy Ge2Sb2Te5 v krystalické fázi byly tvořeny mnoha vrstvami. Nalezené vrstvy byly úspěšně exfoliovány v acetonu. Tloušťka krystalických a amorfních v acetonu exfoliovaných vrstev byla cca. 10-60nm. paměti; krystalizace; dynamika; model